工业物联网

物联网(IoT)已经开始影响消费者的日常生活, 但是工业将会看到更剧烈的影响. 从农业到制造业, 工业物联网应用, 使之成为可能, 通过5G部署和人工智能的加强,智能连接正在引领世界正在进行的数字化转型.

GlobalFoundries® (GF®)为设计师提供广泛的性能组合, 电力和区域优化的解决方案,旨在帮助带来工业4.0产品到生命:从工业和安全mcu,利用22FDX®FD-SOI和40纳米批量CMOS解决方案与eNVM, 到基于22fdx的无线连接解决方案和基于GF BCDLite的电源asp® 解决方案.

单片机

工业物联网(IIoT)基础设施改造正在使工业4.0现实严重依赖于微控制器单元(mcu). 这些mcu必须提供新水平的终端人工智能(AI), 处理效率, 超低功率, 安全性和可靠性.

GlobalFoundries的® (GF®已证实的投资组合, 灵活的MCU解决方案是汽车级合格的, 确保广泛的工业应用的可靠可靠性, 包括电机控制, 过程控制, 机器人, 智能电网计量监测. 该作品集为设计师提供了广泛的区域选择, 性能和电源优化的解决方案,并使他们能够利用嵌入式内存, 宽工作温度范围, 高可靠性和低成本的口罩计数选项.

图像
利润图标
$300,000

90%的公司估计一个小时的车间停工价值高达30万美元. 四分之一的人表示,每小时的成本可能高达100万至500万美元.*

*信息技术情报咨询,2019年5月16日.

单片机 / 工业mcu使用22FDX®和eNVM

工业mcu使用22FDX®和eNVM

GlobalFoundries® (GF®22)都不会®的解决方案, 以低功率, 自适应身体的偏见, 模拟扩展和鲁棒的eNVM功能, 使集成, 区域和功率优化的工业mcu. 解决方案包括eMRAM, 低成本的充电陷阱技术(CTT)和CB-RAM嵌入式存储器,以更快的TTM和唤醒时间.

22FDX®MRAM在125°C下具有20年的数据保存期.

 

GF的22FDX®平台已经实现了4美元.在设计上赢得了50亿美元,出货量超过3.5亿个芯片.

图像
向上箭头图标
气鼓鼓的,节能的性能

22FDX®在行业最低的工作电压下为大块CMOS技术提供一流的性能(0.4v)和1pa /µm的超低备用泄漏. It features an eMRAM NVM with >100x lower write power* that enables frequent, 节电关机,帮助设计师延长电池寿命,同时提高处理能力.

图像
足迹
更多功能,更少空间

22FDX®解决方案使设计师能够开发具有卓越PA效率的射频前端模块(FEMs), 放大器噪声图, 和开关插入损耗的好处. 这些《, 基带和eMRAM元素可以集成到一个单一的IIoT SoC中,这有助于设计师组合所需的功能来满足目标, 同时大大减少了总体面积和成本.

图像
包装的图标
设计、制造简单

22FDX®产品组合的硅证明, MCU-optimized IP, 以及通过GF和FDXcelerator™合作伙伴程序提供的广泛服务和解决方案, 能否帮助设计师减少开发时间,并对首次正确的硬件结果有信心.

单片机 / 工业mcu采用55LPX和40LP, eNVM和28SLP-ESF3

工业mcu采用55LPX和40LP, eNVM和28SLP-ESF3

GlobalFoundries® (GF®) 55LPX和40LP与eNVM和28SLP-ESF3, 构建在大量CMOS平台上, 对功率性能和成本敏感的MCU应用范围进行了优化, 包括汽车, 基带soc, 移动多媒体, 数字电视/机顶盒, 物联网和工业. 这些解决方案使设计师能够利用逻辑, 模拟, RF, ULP SRAM /逻辑组合, 高k金属栅极技术,可靠性高, 以及车载内存(eNVM),以获得更快的唤醒时间, 降低系统成本,提高安全性:

  • 55LPx具有高可靠性(汽车级IP)和高密度、低功耗SRAM
  • GF的40LP是该行业唯一的40纳米汽车0级产品
  • 28SLP对功率进行了优化, 性能和模具成本, 当需要灵活的混合技术选择射频和超低功耗时
  • ESF3 eFlash增加了健壮的质量和可靠性, 在恶劣的温度条件下提供零故障率

GF 55LPX and 40LP 解决方案 are in high-volume production and feature world-class D0 (< 0.04 def /2)缺陷密度.

图像
权力的图标
高电压? 没有问题.

55LPx 解决方案 are excellent fits for 模拟 and power devices operating at 30 V and beyond; it is optimized for integrated 模拟, 电源和混合信号应用,如移动设备的pmic, 音频放大器和需要密集数字的应用, 模拟和功率元件.

图像
图标描述钱
当权力 & 价格问题

40LP解决方案是电力和价格敏感的移动和无线应用的理想选择. 它们具有灵活的射频和低电压混合技术选项.

图像
足迹
少即是多

与类似的40纳米技术相比,28SLP解决方案可节省40%的功率和50%的面积,且成本显著降低. 他们的ULP选项可以提供额外的40%的电力节省.

权力assp

工业物联网建立在电力转换和电机控制的基础上. 强大、高效的电力电子器件正在为未来的工厂提供支持.

并不是所有的功率mosfet都适合这些苛刻的工业应用. 设计工程师开发过程和电机控制的动力assp, 通讯基础设施, 闭路电视安全和交通监控/信号需要无与伦比的可靠性和性能, 即使在高电压下. GF的功率ASSP解决方案已经证明了其效率和可靠性,以满足这些要求.

权力assp / 功率ASSPs采用55nm BCDLite®和130nm BCD/BCDLite®

功率ASSPs采用55nm BCDLite®和130nm BCD/BCDLite®

GlobalFoundries® (GF®) 55 nm BCDLite® 130nm BCD/BCDLite® 解决方案使设计师能够利用优化的、低压CMOS实现的低功耗逻辑. 包括低/中/高/超高压扩展漏极和横向双扩散MOSFET晶体管, 以及精密模拟无源和非易失性存储器, 所有这些都使可靠性更加可靠, 显著的性能, 电压处理和成本效益. 该解决方案配备了一流的功率场效应管,使模具更小,并提高了功率转换效率.

 

GF高压BCD功率fet (40v,高达85v),提供行业领先的性能.

GF率先提供了55nm BCD解决方案(55nm BCDLite),目前出货量已超过30亿片.

图像
足迹
将能量打包成更小的包

与早期的GF BCDLite工艺相比,GF功率fet提供了高达50%的开路电阻降低, 启用, 例如, 用于降压降压开关稳压器的小30%的模具,功率场效应晶体管占模具面积的60%.

图像
向上箭头图标
打包一个性能冲头

55nm BCDLite提供一流的Rsp 和Bvds公司 最大的功率效率和更小的解决方案的性能. 这与高密度逻辑相结合,实现了先进的集成和区域效率设计.

图像
选中标记图标
高可靠性,高容量

55 nm BCDLite 130nm BCD/BCDLite 解决方案 feature world-class defect density (< 0.04 def /2),并在大量生产, 使客户能够以高可靠性满足当今电源管理产品的市场需求.

无线连接

工业物联网(IIoT)硬件的无线通信必须提供低延迟的可靠连接,以支持日益严格的应用需求,如嵌入式人工智能(AI)边缘的远程传感器. 

随着蜂窝(NB-IoT/LTE-M)和Wi-Fi连接不断补充或取代现有的有线/以太网连接,进一步实现机器人技术,对这种硬件的需求不断增长, 高温环境下自动化与智能连接的应用, 嘈杂的制造环境 .  

无线连接 / 无线连接使用22FDX®

无线连接使用22FDX®

22至于从GlobalFoundries®® (GF®)是业界第一个,也是唯一一个22纳米完全耗尽的绝缘体上的硅解决方案. 它具有finfet般的性能和更小的面积, 成本与28纳米CMOS平面技术相当. 这些好处, 与它的高性能射频组合, 高密度数字逻辑和可靠的非易失性存储器(NVM)特性,加上高压晶体管和超低动态和漏电,使22FDX®解决方案完美适合工业物联网(IIoT)应用. 

 

22FDX®可以实现高性能模拟的单芯片集成, 带有边缘AI的射频和电池PMIC元件.

22FDX®可以帮助设计者最大限度地缩短电池寿命,与28纳米CMOS解决方案相比,可减少70%的功率.

图像
机图标
IIoT-ready

在22FDX®的隔离通道降低电容随热和闪烁(1/f)噪声, 使高性能射频收发器能够在嘈杂的工业环境中可靠地接收更远距离的数据, 不产生多余热量. 另外, 集成的高压器件支持高效射频功率放大器和功率转换,超可靠, 低功耗无线连接.

图像
电池寿命
强大的 & 功耗小

22FDX®自适应身体偏置使高密度, 尖端AI等先进功能的高性能数字元素, 在很小的范围内. 因为它可以在500兆赫兹的极低工作电压(0.4 V Vdd) with < 1 pA/bit SRAM leakage current, 基于22fdx的设备可以在小型设备上运行多年, 便宜的电池, 无需增加工厂供电电缆.

图像
温度计的图标
处理热量的内存

22FDX®MRAM耐力在125°C 20年, 远高于工业-40到105°C的最高标准. 这种通用的eMRAM技术是为代码存储(闪存)而设计的,并为客户提供了经过验证的, 高效的嵌入式非易失性存储器(eNVM)用于快速的字段更新, 快速的起床时间和增加的安全性, 更快的上市时间.